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| Numero di parte | SSM6N16FUTE85LF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Potenza - Max | 200mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Disponibile: 12000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET ARRAY 2N-CH 20V 250MA US6
Disponibile: 6000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Disponibile: 3000
