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| Numero de parte | SSM6N61NU,LF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 10V |
| Potencia - Max | 2W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-WDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-UDFNB (2x2) |
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descripción: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
En stock: 250
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descripción: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
En stock: 9000
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descripción: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
En stock: 35000
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descripción: EVAL BOARD FOR 24 LEAD LFCSP
En stock: 3
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
En stock: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
En stock: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
En stock: 12000
