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| Numero di parte | SSM6N61NU,LF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-UDFNB (2x2) |
fabbricante: Analog Devices Inc.
Descrizione: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Disponibile: 250
fabbricante: Analog Devices Inc.
Descrizione: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Disponibile: 9000
fabbricante: Analog Devices Inc.
Descrizione: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Disponibile: 35000
fabbricante: Analog Devices Inc.
Descrizione: EVAL BOARD FOR 24 LEAD LFCSP
Disponibile: 3
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Disponibile: 4000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Disponibile: 4000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Disponibile: 12000
