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| Numero di parte | SSM6J215FE(TE85L,F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 3A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Disponibile: 4000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Disponibile: 4000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Disponibile: 12000
