Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LF

Numero di parte: SSM6J212FE,LF
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte	SSM6J212FE,LF
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	970pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40.7 mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666