Numero de parte | SI5504BDC-T1-E3 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A, 3.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
Potencia - Max | 3.12W, 3.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
En stock: 9000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
En stock: 12000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
En stock: 0