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| Numero de parte | SI5509DC-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.1A, 4.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 10V |
| Potencia - Max | 4.5W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
En stock: 9000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
En stock: 12000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
En stock: 0
