Numero de parte | VS-ETF150Y65U |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de IGBT | Trench |
Configuración | Three Level Inverter |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 650V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 142A |
Potencia - Max | 417W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.06V @ 15V, 100A |
Corriente - corte de colector (máximo) | 100µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 6.6nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | EMIPAK-2B |
Paquete de dispositivo del proveedor | EMIPAK-2B |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
En stock: 15
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
En stock: 9
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
En stock: 15
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE HYPERFAST 15A TO-262
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
En stock: 990
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE HYPERFAST 15A D2PAK
En stock: 0