Número da peça | VS-ETF150Y65U |
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Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Three Level Inverter |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 650V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 142A |
Power - Max | 417W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.06V @ 15V, 100A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 6.6nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / Caso | EMIPAK-2B |
Pacote de dispositivos de fornecedores | EMIPAK-2B |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
Em estoque: 15
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Em estoque: 9
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Em estoque: 15
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
Em estoque: 940
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
Em estoque: 994
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE HYPERFAST 15A TO-262
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
Em estoque: 573
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
Em estoque: 990
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
Em estoque: 590
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE HYPERFAST 15A D2PAK
Em estoque: 0