provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APTGL60DH120T3G |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | Trench Field Stop |
| kokoonpano | Asymmetrical Bridge |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 1200V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Teho - Max | 280W |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 50A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Tulo kapasitanssi (Cies) @ Vce | 2.77nF @ 25V |
| panos | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | SP3 |
| Toimittajan laitepaketti | SP3 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6
Varastossa: 5
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOD IGBT 1200V 140A SP6-P
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
Varastossa: 10
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3
Varastossa: 50
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6
Varastossa: 10
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 420A 1500W D3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 420A 1500W D3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOD IGBT 1200V 65A SP1
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOD IGBT 1200V 65A SP3
Varastossa: 0
