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| Numéro d'article | APTGL60DH120T3G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | Asymmetrical Bridge |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80A |
| Puissance - Max | 280W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 50A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 250µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 2.77nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP3 |
| Package de périphérique fournisseur | SP3 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6
En stock: 5
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT 1200V 140A SP6-P
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
En stock: 10
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3
En stock: 50
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6
En stock: 10
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 420A 1500W D3
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 420A 1500W D3
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT 1200V 65A SP1
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT 1200V 65A SP3
En stock: 0
