Diodes Incorporated DMC1030UFDBQ-7

Numéro d'article: DMC1030UFDBQ-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit

Numéro d'article	DMC1030UFDBQ-7
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23.1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1003pF @ 6V
Puissance - Max	1.36W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	U-DFN2020-6 (Type B)