Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMC1030UFDBQ-7

Diodes Incorporated DMC1030UFDBQ-7

Numero di parte
DMC1030UFDBQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 7500 pz
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  • 3,000 pcs

    0.10230/pcs
Totale:0.10695/pcs Unit Price:
0.10695/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMC1030UFDBQ-7
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1003pF @ 6V
Potenza - Max 1.36W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B)
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