Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated DMG8822UTS-13

Numéro d'article
DMG8822UTS-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'article DMG8822UTS-13
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 841pF @ 10V
Puissance - Max 870mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-TSSOP
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