Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples DMG8880LK3-13

Diodes Incorporated DMG8880LK3-13

Numéro d'article
DMG8880LK3-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article DMG8880LK3-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 27.6nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1289pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.68W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Fabricant: Diodes Incorporated

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En stock: 2500

RFQ 0.09804/pcs
DMG8880LK3-13

Fabricant: Diodes Incorporated

La description: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

En stock: 2500

RFQ 0.15841/pcs
DMG8880LSS-13

Fabricant: Diodes Incorporated

La description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

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RFQ -