Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples DMN63D8LW-13

Diodes Incorporated DMN63D8LW-13

Numéro d'article
DMN63D8LW-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article DMN63D8LW-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 380mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23.2pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-323
Paquet / cas SC-70, SOT-323
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