Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - RF BFS483H6327XTSA1

Infineon Technologies BFS483H6327XTSA1

Numéro d'article
BFS483H6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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En Stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence

    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    0.12513/pcs
  • 3,000 pcs

    0.12513/pcs
  • 6,000 pcs

    0.11650/pcs
  • 15,000 pcs

    0.11219/pcs
  • 30,000 pcs

    0.10787/pcs
Total:0.12513/pcs Unit Price:
0.12513/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article BFS483H6327XTSA1
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual)
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain 19dB
Puissance - Max 450mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 65mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur PG-SOT363-6
Produits connexes
BFS483H6327XTSA1

Fabricant: Infineon Technologies

La description: TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363

En stock: 3000

RFQ 0.12513/pcs