제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFS483H6327XTSA1

Infineon Technologies BFS483H6327XTSA1

부품 번호
BFS483H6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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재고 있음 7500 pcs
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  • 1 pcs

    0.12513/pcs
  • 3,000 pcs

    0.12513/pcs
  • 6,000 pcs

    0.11650/pcs
  • 15,000 pcs

    0.11219/pcs
  • 30,000 pcs

    0.10787/pcs
합계:0.12513/pcs Unit Price:
0.12513/pcs
목표 주가:
수량:
제품 매개 변수
부품 번호 BFS483H6327XTSA1
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 2 NPN (Dual)
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 12V
빈도 - 전환 8GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득 19dB
전력 - 최대 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 65mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 PG-SOT363-6
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제조사: Infineon Technologies

기술: TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363

재고: 3000

RFQ 0.12513/pcs