Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2

Numéro d'article: IPP80N06S209AKSA2
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.70500/pcs
10 pcs
0.66150/pcs
100 pcs
0.52270/pcs
500 pcs
0.40536/pcs
1,000 pcs
0.32002/pcs

Total:0.70500/pcs

Unit Price:

0.70500/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IPP80N06S209AKSA2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 125µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2360pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220-3-1
Paquet / cas	TO-220-3