Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2

Numero di parte: IPP80N06S209AKSA2
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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In stock 2490 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.70500/pcs
10 pcs
0.66150/pcs
100 pcs
0.52270/pcs
500 pcs
0.40536/pcs
1,000 pcs
0.32002/pcs

Totale:0.70500/pcs

Unit Price:

0.70500/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IPP80N06S209AKSA2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2360pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso	TO-220-3