provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numéro d'article | APT35GN120BG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 94A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Puissance - Max | 379W |
| Échange d'énergie | 2.315mJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 220nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 24ns/300ns |
| Condition de test | 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
En stock: 31
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
En stock: 564
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
En stock: 17
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
En stock: 2903
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 125
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
En stock: 77
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3
