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| Número da peça | APT35GN120BG |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 94A |
| Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Power - Max | 379W |
| Mudança de energia | 2.315mJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do portão | 220nC |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 24ns/300ns |
| Condição de teste | 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 [B] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Em estoque: 31
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Em estoque: 564
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Em estoque: 17
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Em estoque: 2903
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Em estoque: 125
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Em estoque: 77
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Em estoque: 3
