Numéro d'article | APT70GR120JD60 |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | NPT |
Configuration | Single |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 112A |
Puissance - Max | 543W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1.1mA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | SOT-227-4 |
Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 16
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO264
En stock: 45
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
En stock: 52
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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