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| Número da peça | APT70GR120JD60 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configuração | Single |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 112A |
| Power - Max | 543W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1.1mA |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | SOT-227-4 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-227 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Em estoque: 16
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 160A 961W TO264
Em estoque: 45
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Em estoque: 52
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: POWER MOSFET - SIC
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: POWER MOSFET - SIC
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: POWER MOSFET - SIC
Em estoque: 0
