Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples 2SA1312GRTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF

Numéro d'article
2SA1312GRTE85LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit
Numéro d'article 2SA1312GRTE85LF
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max 150mW
Fréquence - Transition 100MHz
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur S-Mini
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