Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples SI8483DB-T2-E1

Vishay Siliconix SI8483DB-T2-E1

Numéro d'article
SI8483DB-T2-E1
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SI8483DB-T2-E1
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1840pF @ 6V
Vgs (Max) ±10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-Micro Foot™
Paquet / cas 6-UFBGA
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