Numéro d'article | SI8483DB-T2-E1 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 6V |
Vgs (Max) | ±10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 6-Micro Foot™ |
Paquet / cas | 6-UFBGA |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
En stock: 9000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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