Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples SI8487DB-T1-E1

Vishay Siliconix SI8487DB-T1-E1

Numéro d'article
SI8487DB-T1-E1
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SI8487DB-T1-E1
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2240pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 4-Microfoot
Paquet / cas 4-UFBGA
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