Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli DMG1013T-7

Diodes Incorporated DMG1013T-7

Numero di parte
DMG1013T-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 440024 pz
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0.02909/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMG1013T-7
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 460mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.622nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 59.76pF @ 16V
Vgs (massimo) ±6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 350mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-523
Pacchetto / caso SOT-523
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