Diodes Incorporated DMG1016UDW-7

Numero di parte: DMG1016UDW-7
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Diodes Incorporated

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Numero di parte	DMG1016UDW-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.07A, 845mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60.67pF @ 10V
Potenza - Max	330mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-363