Diodes Incorporated DMG6402LVT-7

Numero di parte: DMG6402LVT-7
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Diodes Incorporated

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Numero di parte	DMG6402LVT-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	498pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.75W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TSOT-26
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6