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| Numero di parte | DMN2400UFDQ-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 37pF @ 16V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN1212-3 |
| Pacchetto / caso | 3-XDFN |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Disponibile: 12000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Disponibile: 1227000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Disponibile: 110000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Disponibile: 81000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Disponibile: 45000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
Disponibile: 3000
