Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli FDG311N

Fairchild/ON Semiconductor FDG311N

Numero di parte
FDG311N
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Fairchild / ON Semiconductor

Fairchild / ON Semiconductor

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In stock 149841 pz
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    (In dollari USA)
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0.08823/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte FDG311N
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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