ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル FDG311N

Fairchild/ON Semiconductor FDG311N

部品番号
FDG311N
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Fairchild / ON Semiconductor

Fairchild / ON Semiconductor

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量:
製品パラメータ
部品番号 FDG311N
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.9A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 270pF @ 10V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 750mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-6
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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メーカー: LEMO

説明: MIDPIECE PAIR FOR FDG.1B.

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