Fairchild/ON Semiconductor FDG6335N

Numero di parte: FDG6335N
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Fairchild / ON Semiconductor

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Numero di parte	FDG6335N
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	113pF @ 10V
Potenza - Max	300mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-70-6