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| Numero di parte | IRLM120ATF |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.15A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Disponibile: 72000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
Disponibile: 9000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
Disponibile: 27000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
Disponibile: 126000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
Disponibile: 12000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Disponibile: 33000
