Número da peça | IRLM120ATF |
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Status da Parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.7W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.15A, 5V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-223-4 |
Pacote / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223
Em estoque: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Em estoque: 72000
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223
Em estoque: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
Em estoque: 9000
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
Em estoque: 27000
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
Em estoque: 126000
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
Em estoque: 12000
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Em estoque: 33000