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| Numero di parte | IRG7T75HF12A |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
| Potenza - Max | 450W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 75A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 10.4nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | POWIR® 34 Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | POWIR® 34 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT CHIP WAFER
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT CHIP WAFER
Disponibile: 0
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Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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