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| Numero di parte | IXTP10N60P |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 740 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Disponibile: 2685
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Disponibile: 396
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
Disponibile: 0
