Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IXTP110N12T2

IXYS IXTP110N12T2

Numero di parte
IXTP110N12T2
fabbricante
IXYS
Descrizione
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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In stock 125 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    2.31000/pcs
  • 10 pcs

    2.06250/pcs
  • 100 pcs

    1.69125/pcs
  • 500 pcs

    1.36950/pcs
  • 1,000 pcs

    1.15500/pcs
Totale:2.31000/pcs Unit Price:
2.31000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IXTP110N12T2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6570pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 517W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
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