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| Numero di parte | NGTD28T65F2WP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Potenza - Max | - |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Disponibile: 26095
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Disponibile: 18129
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Disponibile: 621
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Disponibile: 8398
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Disponibile: 466
