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| Número da peça | NGTD28T65F2WP |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Power - Max | - |
| Mudança de energia | - |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do portão | - |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
| Condição de teste | - |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | Die |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Em estoque: 26095
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Em estoque: 18129
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Em estoque: 621
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Em estoque: 8398
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Em estoque: 466
