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| Numero di parte | NSTB60BDW1T1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistore - Base (R1) (Ohm) | 22k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 47k |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | 140MHz |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Disponibile: 495000
