Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli 2SJ673-AZ

Renesas Electronics America 2SJ673-AZ

Numero di parte
2SJ673-AZ
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Parametro del prodotto
Numero di parte 2SJ673-AZ
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Isolated Tab
Pacchetto / caso TO-220-3 Isolated Tab
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