Artikelnummer | 2SJ673-AZ |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2W (Ta), 32W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 18A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 Isolated Tab |
Paket / Fall | TO-220-3 Isolated Tab |
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
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