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| Artikelnummer | 2SJ058200L |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta), 10W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | U-G2 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3
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