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| 部品番号 | 2SJ058200L |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400pF @ 20V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1W (Ta), 10W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-G2 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
