Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli RQ3E100GNTB

Rohm Semiconductor RQ3E100GNTB

Numero di parte
RQ3E100GNTB
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

In stock 179619 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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0.07276/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte RQ3E100GNTB
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
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