部品番号 | RQ3E100GNTB |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 7.9nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 420pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2W (Ta), 15W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 11.7 mOhm @ 10A, 10V |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |