ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル RQ3E080GNTB

Rohm Semiconductor RQ3E080GNTB

部品番号
RQ3E080GNTB
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

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0.06497/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 RQ3E080GNTB
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5.8nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 295pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 15W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 16.7 mOhm @ 8A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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