Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STI24NM60N

STMicroelectronics STI24NM60N

Numero di parte
STI24NM60N
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 3537 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    2.26000/pcs
  • 10 pcs

    2.13150/pcs
  • 100 pcs

    1.74765/pcs
  • 500 pcs

    1.41515/pcs
  • 1,000 pcs

    1.19350/pcs
Totale:2.26000/pcs Unit Price:
2.26000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte STI24NM60N
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 50V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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